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J-GLOBAL ID：200903078581996262

プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法

Inventor： 下野 正貴 ,  大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203794
Publication number (International publication number)：1999031685
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プロセスパラメータを変更することなく、プラズマの拡散状態をコントロールすることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 チャンバと、該チャンバ内に収容される上部電極と、該上部電極に対向して配置された下部電極とからなり、該上部電極には高周波電力出力回路が接続されており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはインピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマCVD装置において、前記下部電極はインピーダンス調整回路を介して接地されており、成膜時にインピーダンス調整回路により、印加する高周波電力の周波数に共振させて下部電極側のインピーダンスを印加周波数に対して0Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズマを発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回路により、上部電極側から見た下部電極のインピーダンスを上昇させて前記下部電極の範囲を超える幅のプラズマを発生させることを特徴とするプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

チャンバと、該チャンバ内に収容される上部電極(カソード)と、該上部電極(カソード)に対向して配置された下部電極(アノード)とからなり、該上部電極(カソード)には高周波電力出力回路が接続されており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはインピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマCVD装置において、前記下部電極(アノード)はインピーダンス調整回路を介して接地されており、成膜時にインピーダンス調整回路により、印加する高周波電力の周波数に共振させて下部電極(アノード)側のインピーダンスを印加周波数に対して0Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズマを発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回路により、上部電極(カソード)側から見た下部電極(アノード)のインピーダンスを上昇させて前記下部電極の範囲を超える幅のプラズマを発生させることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プロセス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-146332   Applicant：大見忠弘
• 高周波マグネトロンプラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-282723   Applicant：アルプス電気株式会社, 大見忠弘