半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997097417
Publication number (International publication number)：1998290043
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】素子内のリーク電流を抑えて、高効率・高出力化を図った半導体レーザを提供する。【解決手段】光導波路を構成する領域に駆動電流が集中するように、駆動電流をブロックする電流ブロック層23を備えた。この電流ブロック層23の、窓構造部31上に位置する部分と、半導体積層構造22との間に、高抵抗領域32を設けた。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板と、該半導体基板上に設けられ、活性層を第1導電型下クラッド層と第2導電型上クラッド層との間に挟持してなる積層構造と、該積層構造の表面側に配置された表面電極と、上記半導体基板の裏面側に配置された裏面電極と、該積層構造と表面電極との間に形成され、該積層構造における光導波路を構成する所定の帯状領域に駆動電流が集中するよう該駆動電流をブロックする第1導電型電流ブロック層とを備え、上記積層構造は、上記光導波路の両端部分に不純物の拡散により形成された、その活性層部分のバンドギャップエネルギーが該光導波路の他の活性層部分のバンドギャップエネルギーより大きい窓構造部を有し、上記電流ブロック層の、上記窓構造部上に位置する部分と、上記積層構造との間には、高抵抗領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-203089 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335670 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-184390

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