Pat

J-GLOBAL ID：200903078671563977

ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor： 毛利 弘 ,  横山寿文 ,  三上豪一
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199690
Publication number (International publication number)：1997050113
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク。【解決手段】 透明基板201上にハーフトーン位相シフト膜202を有し、透明基板201上のマスクの転写時の多重露光部に対応する領域に、ガス状の超微粒子を基板上に吹き付けることにより形成した超微粒子膜からなり露光光を遮光するパターン207が形成されている。

Claim (excerpt)：

透明基板上に単層又は2層以上の層からなるハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、透明基板上の一部の領域において、超微粒子膜からなり露光光を遮光するパターンが形成されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ハーフトーン型位相シフトフオトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-323346   Applicant：大日本印刷株式会社
• 特開平2-030752
  
• 特開平2-073958
  
• 超微粒子膜パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269549   Applicant：オムロン株式会社
• マスクおよびパタン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-149835   Applicant：日本電信電話株式会社
• ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-274616   Applicant：ホーヤ株式会社