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J-GLOBAL ID：200903072841603261

強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor：
渡辺 克朗

About 渡辺 克朗


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000347446
Publication number (International publication number)：2002151758
Application date： Nov. 09, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：
【要約】【課題】熱揺らぎに対して安定な強磁性トンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】強磁性トンネル磁気抵抗効果素子の自由層を強磁性層(381、383)と中間層(382)を少なくとも5層以上積層し、中間層382を介して隣接する2層の強磁性層381と383の磁化を反強磁性的に配列させることにより、異方性磁界Hkや飽和磁化Msを変えることなく、しかも感度の劣化を招かずに自由層の体積を大きくすることができるため、熱揺らぎに対して安定になる。
Claim (excerpt)：
第1磁性層と、強磁性層と中間層とが少なくとも5層以上積層されている多層構造との間にトンネル障壁層が形成されており、前記第1磁性層は作用する外部磁界に対してその磁化の方向が拘束されており、前記多層構造を構成する強磁性層は外部磁界に対してその磁化の方向が回転し、その磁化が前記中間層を介して反強磁性的に配列しており、前記第1磁性層と前記多層構造を構成する強磁性層の磁化の相対的な角度によって抵抗が変化する強磁性トンネル磁気抵抗効果膜と、 前記強磁性トンネル磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するための下部および上部磁性層に電気的に接している下部及び上部電極と、抵抗変化を検出するための検出手段を有することを特徴とする強磁性トンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/105
FI (7)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447
F-Term (21)：
2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AD55 ,  2G017AD57 ,  2G017AD61 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5E049DB18 ,  5F083FZ10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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