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J-GLOBAL ID：200903094567798720
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265664
Publication number (International publication number)：2001156358
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 素子サイズを小さくしても、記録に要するパワーを軽減でき、かつ材料選択の幅が広い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層1/第1の強磁性層2/第1のトンネル絶縁層3/第2の強磁性層4/第1の非磁性層5/第3の強磁性層6/第2の非磁性層7/第4の強磁性層8/第2のトンネル絶縁層9/第5の強磁性層10/第2の反強磁性層11が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、第2および第3の強磁性層4、6が第1の非磁性層5を介して反強磁性結合しており、第3および第4の強磁性層6、8が第2の非磁性層7を介して反強磁性結合している。
Claim (excerpt)：
第1の反強磁性層/第1の強磁性層/第1のトンネル絶縁層/第2の強磁性層/第1の非磁性層/第3の強磁性層/第2の非磁性層/第4の強磁性層/第2のトンネル絶縁層/第5の強磁性層/第2の反強磁性層が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、第2および第3の強磁性層が第1の非磁性層を介して反強磁性結合しており、第3および第4の強磁性層が第2の非磁性層を介して反強磁性結合していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/02
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/26
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/02 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, G01R 33/06 R
