結晶成長用基板、その製造方法、およびGaN系結晶の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001085968
Publication number (International publication number)：2002289579
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】少なくとも表面がGaN結晶である基板を用いて、従来よりも高品質なGaN系結晶層を成長させ得る結晶成長用基板とその製造方法を提供し、また、該結晶成長用基板を用いたGaN系結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 GaN基板1に対し、エッチングガスを用いたエッチングを行うことによって、基板表面のGaN結晶の表層を除去し、当該結晶成長用基板として、その上にGaN系結晶2を成長させる。これによって、より高品質なGaN系結晶の成長が可能となる。この工程に、さらに、ラテラル成長法や埋め込み成長法を組み込んで、結晶品質をさらに向上させることもできる。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面がGaN結晶からなる結晶基板に対し、エッチングガスを用いたエッチングを施すことによって前記GaN結晶のうちの表層を除去する工程を有することを特徴とする、結晶成長用基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 21/302 N , H01L 21/302 F , H01L 21/302 H

F-Term (30)：

5F004AA06 , 5F004AA14 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004DA04 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB19 , 5F004EA01 , 5F004FA08 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA55 , 5F045DA67 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F052KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開平2-291125
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150310 Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (3)

半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開平2-291125
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150310 Applicant：住友化学工業株式会社

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