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J-GLOBAL ID：200903095074372976

3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150310
Publication number (International publication number)：1997008355
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】3-5族化合物半導体に対してドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、良好な品質の3-5族化合物半導体を製造する。【構成】3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理する工程を有する3-5族化合物半導体の製造方法。3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理し、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理する工程を有する3-5族化合物半導体の製造方法。ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いる3-5族化合物半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308 ,  H01S 3/18

FI (7)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/308 G ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057688   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004719   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平1-278025
  
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-311824   Applicant：松下電器産業株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社