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J-GLOBAL ID：200903078752763334

半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法

Inventor：
佐藤 充

About 佐藤 充


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006066114
Publication number (International publication number)：2007243045
Application date： Mar. 10, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：
【課題】不純物イオン注入の際にマスクとして用いられ、変質層を有するレジスト膜を効率的に除去する。【解決手段】ガラス基板100上に形成されたレジスト膜107をマスクに不純物イオンを注入し、変質層107aが形成されたレジスト膜107を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜107を除去する。この際、さらにハロゲン化合物ガスを添加した第1アッシングと、その後の、水素及び酸素の混合ガス比を水(H2O)の化学量論組成比である2mol:1molより酸素の組成比が大きい、酸素リッチな状況で行う第2アッシングとにより行う。【選択図】図12
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたレジスト膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記レジスト膜に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572A
F-Term (18)：
5F004BA19 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA10 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA02 ,  5F046MA13 ,  5F046MA17 ,  5F046MA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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