トランジスタ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004365861
Publication number (International publication number)：2005183984
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】透明チャンネル薄膜トランジスタ及びp型透明チャンネル薄膜トランジスタの提供を課題とする。【解決手段】本発明のトランジスタ素子は、実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、ゲートコンタクト(16)と、ゲートコンタクト(16)とチャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)とからなることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、前記チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、前記チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、ゲートコンタクト(16)と、前記ゲートコンタクト(16)と前記チャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)と、からなるトランジスタ素子。

IPC (5)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/78 613A , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/50 M , H01L29/58 G

F-Term (49)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA21 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK11 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

導電性透明酸化物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-086599 Applicant：科学技術振興事業団
アクティブマトリクス液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-220381 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-379779 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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