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J-GLOBAL ID：200903078755524527

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
西郷 伸吾

About 西郷 伸吾


Applicant, Patent owner：
鹿児島日本電気株式会社

About 鹿児島日本電気株式会社


Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000273335
Publication number (International publication number)：2002083971
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 特性安定化を図る薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層14およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部19の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。
Claim (excerpt)：
所定のオーミック層およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャネルエッチングを行うとき、チャネル部の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 618 Z
F-Term (11)：
5F004AA01 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F110CC07 ,  5F110QQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 薄膜トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-395829   Applicant：シャープ株式会社
  • 薄膜トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-032734   Applicant：鹿児島日本電気株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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