スピン注入三端子素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203787
Publication number (International publication number)：2002026417
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】強磁性体である強磁性金属材料からなる電極を用いた三端子素子を提供する。【解決手段】チャネル層102上に、アルミニウム(Al)からなる分離層104,105を介して、ニッケル(Ni)と鉄(Fe)の合金からなるソース電極106,ドレイン電極107を形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる基板上に形成されたチャネルが形成される化合物半導体からなるチャネル層と、このチャネル層上に互いに離間して形成されたアルミニウムからなる第1および第2の分離層と、前記第1および第2の分離層上に形成された強磁性金属からなるソース電極およびドレイン電極と、前記チャネル層に形成されるチャネルの状態を制御するゲート電極とを備えたことを特徴とするスピン注入三端子素子。

IPC (11)：

H01L 43/00 , G11C 11/02 , G11C 11/14 , H01L 21/28 301 , H01L 27/105 , H01L 29/417 , H01L 29/66 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/80

FI (9)：

H01L 43/00 , G11C 11/02 Z , G11C 11/14 A , H01L 21/28 301 H , H01L 29/66 , H01L 27/10 447 , H01L 29/50 U , H01L 29/80 H , H01L 29/80 A

F-Term (36)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104DD29 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104GG12 , 4M104GG16 , 4M104GG20 , 5F083FZ10 , 5F102FB05 , 5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GT02 , 5F102GV00 , 5F102HC01 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気装置および磁性体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-058244 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120249 Applicant：三洋電機株式会社
特開平1-179457

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