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J-GLOBAL ID：200903080648021398

磁気装置および磁性体素子

Inventor：
水島 公一

About 水島 公一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998058244
Publication number (International publication number)：1999204854
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】読出し速度の速い磁気メモリを実現すること。【解決手段】メモリセルとして、MOSトランジスタ2と、このMOSトランジスタ2のゲートに接続された磁性体トンネル接合素子1とから構成されたものを用いる。そして、MOSトランジスタ2のゲートを磁性体トンネル接合素子1を介して定電圧源に接続する。また、ゲート抵抗4の一端をゲートに接続し、他端を接地する。また、MOSトランジスタ2のソースをゲート抵抗4よりも低抵抗の比較抵抗3に直列に接続し、MOSトランジスタ2のドレインを接地する。
Claim (excerpt)：
MOSトランジスタと、このMOSトランジスタのゲートに接続され、磁気ヘッド本体としてのGMR素子とを具備してなることを特徴とする磁気装置。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/22
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/22 ,  G01R 33/06 R
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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