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J-GLOBAL ID：200903078903446530
記憶装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997050316
Publication number (International publication number)：1998247388
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】入出力信号を多重化して内部動作周波数を外部クロック周波数より高くすることにより記憶装置の実効的な動作速度を高める。【解決手段】本発明の記憶装置は外部ビット幅を内部ビット幅より広くし、書き込みデータは記憶装置内で内部ビット幅に逐次時間分割して書き込み、読みだしデータは外部ビット幅を全て使うように振り分けることにより内部動作周波数を外部クロック周波数より高くする機能を具備することを特徴とする。本発明によればボード上に実装した記憶装置の実効的な動作速度を前記ボードの周波数上限以上とすること、及びダイソートテストの段階で高周波特性のテストを可能とすることができる。
Claim (excerpt)：
外部クロックに同期して外部入出力データの書き込み及び読み出し動作を行う記憶装置において、外部クロックを逓倍して内部クロックを発生する逓倍回路と、前記記憶装置への書き込み及び読み出し動作を所定の外部ビット幅で行う外部入出力部と前記記憶装置のメモリセルアレイへの書き込み及び読み出し動作を所定の内部ビット幅で行う内部入出力部とを具備し、前記メモリセルアレイへの書き込み及び読み出し動作は前記内部クロックにより制御され、かつ前記内部ビット幅は前記外部ビット幅よりも小さくされたことを特徴とする記憶装置。
IPC (3)：
G11C 11/407
, G11C 11/41
, G11C 29/00 651
G11C 11/34 362 S
, G11C 29/00 651 Z
, G11C 11/34 301 D
, G11C 11/34 354 C
Cited by examiner (6)
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