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J-GLOBAL ID：200903078957960701

高耐圧電力用半導体装置

Inventor： 附田 正則 ,  四戸 孝 ,  山口 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998050745
Publication number (International publication number)：1998321877
Application date： Mar. 03, 1998
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】必要な耐圧を確保するために、厚いn型カソード基板を使用しても、順方向電圧降下、逆回復損失等の素子特性の劣化を防止できる高耐圧電力用半導体装置を実現する。【解決手段】n型カソード層1の表面または裏面に凹部を形成し、この凹部が形成された厚さの薄い領域にp型アノード層2,3を形成する。さらにp型アノード層2の周囲にp型リサーフ層4を形成する。このとき、p型リサーフ層4の形成される領域に複数の段差が形成されるようにする。

Claim (excerpt)：

第1と第2の主面を有し、前記第1および第2の主面のいずれかに凹部を有する高抵抗の第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部が形成された領域に、少なくともその1部が形成された、電界緩和構造を有する電力用半導体素子と、を具備することを特徴とする高耐圧電力用半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 655 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-315691   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭53-127270
  
• 複合型半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-301463   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平4-014263
  
• 特開平1-272151
  
• 特開平2-082534
  
• 特開昭63-053969