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J-GLOBAL ID：200903078992206238
半導体発光素子
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
田中 光雄
, 石井 久夫
, 田村 啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006252509
Publication number (International publication number)：2006332714
Application date： Sep. 19, 2006
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。【解決手段】基板(10)の表面部分には発光領域(12)で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部(20)及び/又は凸部(21)を形成する。凹部及/又は凸部は半導体層(11、13) に結晶欠陥を発生させない形状とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板表面上に基板とは材質の異なる少なくとも2層の半導体層と発光領域とを積層構造に成膜し、発光領域で発生した光を上記上側半導体層又は下側基板から取り出すようにした半導体発光素子において、
上記基板の表面部分には上記発光領域で発生した光を散乱又は回折させる少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が形成され、該少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が上記半導体層に結晶欠陥を発生させない形状をなしていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA74
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041DB01
Cited by examiner (3)
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窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-288155
Applicant：三洋電機株式会社
-
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-068067
Applicant：三菱電線工業株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-028420
Applicant：シャープ株式会社
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