半導体基材及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001068067
Publication number (International publication number)：2002164296
Application date： Mar. 12, 2001
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、C軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(b)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。

Claim (excerpt)：

基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び/または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであることを特徴とする半導体基材。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (30)：

5F041AA04 , 5F041AA21 , 5F041AA42 , 5F041AA44 , 5F041CA03 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DB09 , 5F045EB15 , 5F045GB11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-216110 Applicant：シャープ株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-049906 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336307 Applicant：ソニー株式会社

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