窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000288155
Publication number (International publication number)：2001160539
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】選択成長マスクを用いることなく、より転位の低減を図ることが可能な窒化物系半導体および窒化物系半導体素子の形成方法を提供することである。【解決手段】サファイア基板1のC面上に、AlGaN第1バッファ層2、GaN第2バッファ層3および第1GaN層4を順に成長させ、図中のA-A線上の第1GaN層4を研磨する。それにより、第1GaN層4において、サファイア基板1のC面から所定の方向に所定の角度Bだけ傾斜した面を露出させる。このようにして、第1GaN層4にオフ面が形成されたGaNオフ基板25を作製し、第1GaN層4のオフ面に第2GaN層を成長させる。

Claim (excerpt)：

基板のC面上に第1の窒化物系半導体層を成長させ、前記第1の窒化物系半導体層においてC面から所定の方向に所定の角度傾斜した面を露出させ、前記第1の窒化物系半導体層の前記傾斜した面上に前記第1の窒化物系半導体層よりも単結晶に近い第2の窒化物系半導体層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133844 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-071467 Applicant：三菱電線工業株式会社

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