基板処理方法及び基板処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原康司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000015816
Publication number (International publication number)：2001210614
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い処理能力を得ることができる,基板処理方法を提供する。【解決手段】ウェハWの表面のレジスト膜60を除去する方法において,ウェハWに水蒸気4を供給する工程と,ウェハWにオゾンガス6に供給する工程と,水蒸気4とオゾンガス6との反応により生じた水酸基ラジカルによって,ウェハWにオゾンを利用した処理を施す工程とを有する。

Claim (excerpt)：

基板を処理する方法であって,基板に溶媒の蒸気を供給する工程と,基板に処理ガスを供給する工程と,前記溶媒の蒸気と処理ガスとの反応により生じた反応物質によって基板を処理する工程とを有することを特徴とする,基板処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/304 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/304 645 B , H01L 21/304 645 Z , H01L 21/30 572 B

F-Term (3)：

5F046MA03 , 5F046MA05 , 5F046MA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-252139 Applicant：住友金属工業株式会社
シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-264596 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開昭8-236497

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