半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999011560
Publication number (International publication number)：2000216163
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、低温で成膜したSiN膜を低温アニールによって改質し、また、製造装置系の構成を簡素化する。【解決手段】基体1上にSiN膜5を堆積したのち、触媒体3に原料ガス2を吹きつけ、触媒体3と原料ガス2との接触反応によって原料ガス2の少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種4の雰囲気中にSiN膜5を晒す。

Claim (excerpt)：

基体上にSiN膜を堆積したのち、触媒体に原料ガスを吹きつけ、前記触媒体と原料ガスとの接触反応によって原料ガスの少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種の雰囲気中に前記SiN膜を晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/324 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7)：

H01L 21/324 G , H01L 21/324 X , H01L 21/324 Z , H01L 21/31 B , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 617 V

F-Term (41)：

5F040DA06 , 5F040ED04 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA15 , 5F045DC63 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045HA16 , 5F045HA21 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BF01 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BG10 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA08 , 5F110AA17 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110FF36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-169932
半導体装置の絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064721 Applicant：株式会社東芝
ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-232412 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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