半導体基板およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000116072
Publication number (International publication number)：2000353669
Application date： May. 14, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の欠陥を低減する。【解決手段】結晶基板1上にAl0.5Ga0.5N層27を1.5μm成長する。この際、原料にトリメチルガリウムとトリメチルアルミニウムとアンモニアを用いて、GaとAlとNのモル供給比がGa:Al:N=0.5:0.5:5500となるようにする。つぎに、第8の実施の形態と全く同じ反応性イオンエッチングにより、Al0.5Ga0.5N層27に高さ2μmの千鳥格子状の段差を形成する。この段差は、Al0.5Ga0.5N層27の厚さより深く、底部はGaN基板1まで達している。Al0.5Ga0.5N結晶層27の上にAl0.5Ga0.5N層28を30μm成長する。

Claim (excerpt)：

半導体が結晶成長する方向として主面に対する法線方向とは異なる方向を有し、半導体内に生じる欠陥が集結してできる欠陥領域を備えた半導体基板。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01S 5/223 , H01S 5/343

FI (4)：

H01L 21/205 , H01S 5/223 , H01S 5/343 , H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-034920
ヘテロエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003885 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-318918

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Cited by examiner (5)

特開平4-034920
ヘテロエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003885 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-318918

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