半導体装置の白金膜蝕刻方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998023493
Publication number (International publication number)：1998223604
Application date： Feb. 04, 1998
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体装置キャパシタの下部電極に使われる白金膜の蝕刻方法を提供する。【解決手段】白金膜108上に、Tiで構成された接着層106が酸素が豊富な蝕刻ガスを使用すればTiOxに変わって付加的な蝕刻マスクとして作用する特性と、この様なTiOx層が全体的な接着層マスク110が侵食されない程度に十分に形成される特性を利用して、白金膜108をオーバエッチングすることで白金膜108の蝕刻傾斜度を改善させる。TiOx層が、接着層マスク110の侵食がなされない程度に十分に形成される温度は、半導体基板100の温度として、120〜300°Cの範囲である。

Claim (excerpt)：

下地膜が形成された半導体基板に白金膜を形成する段階と、前記白金膜の上部に接着層を形成する段階と、前記接着層の上部にマスク層を形成する段階と、前記マスク層をパターニングしてマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを利用して下部の接着層をパターニングする段階と、前記半導体基板をプラズマ蝕刻設備で加熱させる段階と、前記マスクパターンとパターニングされた接着層を蝕刻マスクとして下部の白金膜を蝕刻する段階と、前記マスクパターンを除去する段階とを具備することを特徴とする半導体装置の白金膜蝕刻方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 , C23F 4/00 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/306 F , C23F 4/00 A , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

Pt膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175364 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002835 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055064 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (1)

Pt膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175364 Applicant：シャープ株式会社

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