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J-GLOBAL ID:200903079416469157
半導体装置およびその作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997246066
Publication number (International publication number):1999068114
Application date: Aug. 26, 1997
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 従来のチャネルドープとは異なる手段でしきい値電圧を制御するための技術を提供する。【解決手段】 下地膜102の表面近傍に対してしきい値電圧を制御するための不純物元素(13族または15族の元素)を添加する。そして、その上に結晶性珪素膜108を形成し、その結晶化に利用した触媒元素のゲッタリングプロセスを行う。この処理中に下地膜102から結晶性珪素膜108へと逆拡散する上記不純物元素を利用して、所望のしきい値電圧を得る。
Claim (excerpt):
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル形成領域を含む半導体装置であって、前記チャネル形成領域中にはしきい値電圧を制御するための不純物元素が含まれており、前記チャネル形成領域中における前記不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域と前記基板との界面において最大値をとり、且つ、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (5):
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開昭61-220425
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薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-118637
Applicant:三洋電機株式会社
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特開昭64-066969
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半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-053737
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開昭64-066969
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アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-119961
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平1-120868
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特開平2-135780
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、及びアクティブマトリクス液晶表示素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-083755
Applicant:カシオ計算機株式会社
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特開昭61-220425
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