Pat
J-GLOBAL ID：200903079426570980
MOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001137538
Publication number (International publication number)：2002334997
Application date： May. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：
【要約】【目的】MOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置において、傾斜ドーピング技術をもちいないで、60V以上の耐圧と低いVFの両立を実現する【構成】MOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置において、酸化膜の厚みを4000Å以上、メサ幅を3μm以下、エピタキシャルの不純物の濃度を5×1015cm-3 以上とする。トレンチエッチをおこなった後、等方性エッチングをおこない、厚みの均一な熱酸化膜を形成する。CVDポリシリコンをトレンチ内部に埋め、側壁酸化膜の上に残し、その上にショットキメタルを堆積する。エピタキシャル成長ガスとしてモノシランをもちい、低温(900°C〜1000°C)の下でエピタキシャル層を成長させる。
Claim (excerpt)：
半導体基板に該基板と同導電型で該基板に比べ低い不純物濃度の半導体層を有し、該半導体層に垂直に酸化膜側壁を有するトレンチを有し、該トレンチ内部にポリシリコンが充填され、該トレンチとトレンチの間の半導体表面にショットキメタルが堆積され、該ショットキメタルと該ポリシリコンとが同電位であるMOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置において、該酸化膜の厚みが4000Å以上、該半導体層の不純物濃度が5×1015cm-3以上あり、且つ該トレンチの底部における半導体層と酸化膜との境界が半円状もしくは半楕円状となっていることを特徴とするMOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置。
F-Term (10)：
4M104BB01
, 4M104CC03
, 4M104DD43
, 4M104EE03
, 4M104EE11
, 4M104FF01
, 4M104FF10
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH20
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
