ナノロッドを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三好秀和 , 伊藤正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005238359
Publication number (International publication number)：2006128627
Application date： Aug. 19, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】シリコン基板上に形成された良質のGaN層を含む窒化物系半導体素子及びその製造方法を開示する。【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたGaN層を含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたGaN層とを含む窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L21/205

F-Term (18)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA25 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA11 , 5F045DA51 , 5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-365725 Applicant：豊田合成株式会社
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-206301 Applicant：三洋電機株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-117613 Applicant：坂井田敏昭

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