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J-GLOBAL ID：200903079514178683

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小榑 直明 ,  堀江 邦明
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999194975
Publication number (International publication number)：2001023925
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 微細な凹部に欠陥のない健全な導電体からなる埋込み配線を形成できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板Wの表面に設けられた微細な凹部5に配線を埋め込んで形成した半導体装置において、前記配線は、前記凹部5の底部から開口端部に向けて一方向に成長させためっき金属銅7で構成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に設けられた微細な凹部に配線を埋め込んで形成した半導体装置において、前記配線は、前記凹部の底部から開口端部に向けて一方向に成長させためっき金属で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288

FI (3)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/288 E

F-Term (14)：

4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD21 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-337253   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215696   Applicant：日本電気株式会社
• 基板の表面上に金属層を作製する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140514   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド