発光ダイオード及びその製作方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川澄茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379403
Publication number (International publication number)：2003179254
Application date： Dec. 13, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】第二導電型クラッド層のZnが活性層中に拡散することを効果的に抑止し、実用性に富む高出力、且つ高信頼性の発光ダイオードを得る。【解決手段】第一導電型の半導体基板1上に、第一導電型クラッド層3、アンドープ活性層4、第二導電型クラッド層5、更に第二導電型電流分散層6が積層された半導体発光素子において、アンドープ活性層4と第二導電型クラッド層5の間に、厚さ500nm以上のアンドープスペーサ層9を設ける。

Claim (excerpt)：

第一導電型の半導体基板上に、第一導電型のクラッド層、アンドープ活性層、第二導電型のクラッド層、更に第二導電型の電流分散層が順次積層された半導体発光素子において、第二導電型クラッド層とアンドープ活性層の間に、活性層よりもバンドギャップエネルギーの高いアンドープ層を500nm以上形成したことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 B , H01L 21/205

F-Term (21)：

5F041AA44 , 5F041CA03 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041FF01 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA59 , 5F045DA63 , 5F045DA64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-128311 Applicant：シャープ株式会社
AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-180539 Applicant：日立電線株式会社

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