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J-GLOBAL ID：200903026725640387

AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知

, 
今野 泰一郎

About 今野 泰一郎

, 
金田 直樹

About 金田 直樹

, 
柴田 憲治

About 柴田 憲治


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180539
Publication number (International publication number)：2001007445
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発光出力及び信頼性が高いAlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 n型導電性を有する基板1上に、少なくともAlGaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層3と、n型クラッド層3よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系化合物半導体からなる活性層4と、活性層4よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型クラッド層5と、電流拡散層6を積層した構造において、p型クラッド層5a、5bの中か、あるいは電流拡散層6とp型クラッド層5との間に、p型クラッド層5よりもAl濃度の低い挿入層7を挿入して、活性層4への不純物の拡散を防止することにより発光素子の出力低下を防止する。
Claim (excerpt)：
n型導電性を有する基板上に、少なくともAlGaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層と、該n型クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型AlGaInP系化合物半導体からなるクラッド層と、p型電流拡散層を積層した構造の発光素子において、上記p型クラッド層の中か、あるいは上記p型クラッド層と上記p型電流拡散層との間に、上記p型クラッド層よりもAl濃度の低い挿入層が挿入されていることを特徴とするAlGaInP系発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 B
F-Term (12)：
5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA58 ,  5F073AA51 ,  5F073CA14 ,  5F073CB19 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-030819   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-338193   Applicant：シャープ株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139230   Applicant：株式会社東芝
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