半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995128311
Publication number (International publication number)：1996321633
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】活性層の結晶性劣化による発光効率の低下を防止する。【構成】活性層3側のpクラッド層4の一部をアンドープ層21とすることによって、電流拡散層5によって誘発されるpクラッド層4のドーパント(Zn)の活性層3への拡散がこのアンドープ層21で阻止されるため、活性層3の結晶性劣化を防止することができ、したがって、発光効率に優れた発光ダイオード(LED)を得ることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に第1導電型のクラッド層、アンドープ活性層、第2導電型のクラッド層さらに第2導電型の電流拡散層が順次積層された半導体発光素子において、該第1導電型のクラッド層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電流拡散層のうち少なくとも該第2導電型のクラッド層の一部をアンドープクラッド層とする構成とした半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

発光ダイオードの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-097160 Applicant：ローム株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-330916 Applicant：松下電器産業株式会社
発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-136945 Applicant：松下電子工業株式会社

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