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J-GLOBAL ID:200903079552562063
基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998133905
Publication number (International publication number):1999326247
Application date: May. 15, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 高い精度で試料の電位コントラスト欠陥を検出し、かつ、これを定量的に測定することができる基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法を提供する。【解決手段】 電子ビーム31を半導体ウェーハ11の表面に照射し、そこから発生する二次電子、反射電子および後方散乱電子を二次電子ビーム32として写像投影手段で電子ビーム検出部61の下面に拡大投影して結像することで、半導体ウェーハパターンの観察および検査を行う基板検査システム60において、写像投影系内に平行平板型エネルギーフィルタ33を備え、二次電子ビームを分離して所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビームを取出す。
Claim (excerpt):
試料である基板に電子ビームを一次電子ビームとして照射する一次電子ビーム照射手段と、前記一次電子ビームの照射を受けて、前記基板から発生する二次電子および反射電子を導いて二次電子ビームに集束して結像させる写像投影手段と、前記二次電子ビームを前記試料表面の電気的状態に対応したエネルギー成分ごとに分離して取出す電子ビーム分離手段と、前記電子ビーム分離手段により分離され、前記写像投影手段により結像された前記二次電子ビームを検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、前記二次電子ビーム検出手段から前記画像信号の供給を受けて、前記基板の表面の物理的・電気的状態を表す画像を表示する画像表示手段とを備えた基板検査装置。
IPC (7):
G01N 23/225
, G01B 15/00
, G01R 31/302
, G03F 1/08
, H01J 37/22 502
, H01J 37/28
, H01L 21/66
FI (8):
G01N 23/225
, G01B 15/00 B
, G03F 1/08 S
, H01J 37/22 502 A
, H01J 37/28 A
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 Z
, G01R 31/28 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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直接写像型反射電子顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-095180
Applicant:日本電子株式会社
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非弾性散乱成分を除去した反射高速電子回折パターンの計測法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-268019
Applicant:名古屋大学長
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特開平1-200546
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特開平4-067550
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特公平1-030082
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ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-041346
Applicant:株式会社東芝
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