プラズマCVD成膜装置及びプラズマCVD成膜方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：梶良之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001326200
Publication number (International publication number)：2003129245
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】円筒状外周面を有する被処理材を回転させ、プラズマCVD法により前記円筒状外周面に成膜を行うに際し、高速成膜を行えるとともに、装置のメンテナンスサイクルを延ばすことができるようにすること。【解決手段】前記被処理材が相対して配置される高周波電極と、被処理材を回転させる回転駆動手段と、反応容器内を被処理材及び前記高周波電極と協力して仕切ることにより、ライン状プラズマ発生空間、これを挟むガス導入空間及びガス導出空間からなる成膜用領域を形成するための隔壁部材と、前記ライン状プラズマ発生空間の雰囲気圧力を1k〜200kPaの範囲内に設定し調整する雰囲気圧力調整手段と、前記高周波電極と被処理材の円筒状外周面との間にグロー放電によるライン状プラズマを発生させるため前記高周波電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、を備えているプラズマCVD成膜装置。

Claim (excerpt)：

反応容器内にて円筒状外周面を有する被処理材を回転させ、該被処理材の円筒状外周面に成膜を行うプラズマCVD成膜装置において、反応容器内に配設され、前記被処理材が所定の狭い間隙距離を隔てて相対して配置される高周波電極と、前記被処理材を回転させる回転駆動手段と、反応容器内に配設され、反応容器内を前記被処理材及び前記高周波電極と協力して仕切ることにより、ライン状プラズマ発生空間、これを挟むガス導入空間及びガス導出空間からなる成膜用領域を形成するための隔壁部材と、前記ライン状プラズマ発生空間の雰囲気圧力を1k〜200kPaの範囲内に設定し調整する雰囲気圧力調整手段と、前記高周波電極と前記被処理材の円筒状外周面との間にグロー放電によるライン状プラズマを発生させるため前記高周波電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、を備えていることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。

IPC (3)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

F-Term (33)：

2H068DA00 , 2H068EA24 , 2H068EA33 , 2H068EA36 , 4K030CA16 , 4K030FA03 , 4K030GA05 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030KA12 , 4K030KA14 , 4K030KA30 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE30 , 5F045AF10 , 5F045BB10 , 5F045CA16 , 5F045DA65 , 5F045DP09 , 5F045DQ10 , 5F045EB06 , 5F045EH04 , 5F045EH12 , 5F045EH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

非晶質シリコン感光ドラムの成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-207437 Applicant：京セラ株式会社
回転電極を用いた薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-344813 Applicant：三洋電機株式会社, 森勇藏
放電処理装置および放電処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189262 Applicant：東レ株式会社

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