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J-GLOBAL ID:200903079651365245

パワーモジュール用基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 澤木 誠一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996244009
Publication number (International publication number):1998070212
Application date: Aug. 28, 1996
Publication date: Mar. 10, 1998
Summary:
【要約】【課題】 従来のパワーモジュール用基板においては、基板上にSiチップを半田付けする際、半田の流れを阻止できず、また、ヒートサイクル特性が悪い欠点があった。【解決手段】 本発明においては、Al2 O3 、AlN、Si3 N4 等のセラミックス基板と銅、ニッケル、アルミニウムまたはこれらの合金から選ばれる金属とを接合したパワーモジュール基板の金属上または金属メッキにエポキシ系あるいはイミド系半田レジストを塗布し、この上にSiチップを半田付けする。
Claim (excerpt):
セラミックス基板と金属とを接合したパワーモジュール基板において、金属上または金属メッキ表面上に半田レジストを塗布したことを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2):
H01L 23/12 ,  H05K 3/24
FI (2):
H01L 23/12 J ,  H05K 3/24 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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