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J-GLOBAL ID:200903079662805514

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000312834
Publication number (International publication number):2002121698
Application date: Oct. 13, 2000
Publication date: Apr. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 銅配線プロセスにおける、メッキ工程、アニーリング工程、二つのCMP工程等の複数工程を一つの製造装置で行うことによりTATの短縮を図るとともに、CMP工程を他工程に置き換えることで消耗材のコストを抑える。【解決手段】 基板91が電解メッキされる電解メッキチャンバ11と、基板91が電解研磨される電解研磨チャンバ21と、電解メッキチャンバ11に対する基板91の搬入搬出および電解研磨チャンバ21に対する基板91の搬入搬出を行う搬送装置83を設置したもので、電解メッキチャンバ11と電解研磨チャンバ21のそれぞれに接続された搬送チャンバ81とを備えたもので、搬送チャンバ81には、図示はしないが、無電解メッキチャンバ、アニーリングチャンバ、液処理チャンバ等を備えることも可能である。
Claim (excerpt):
基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッキチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構成される電解研磨チャンバと、前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出および前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出を行う搬送装置を設置したもので、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバのそれぞれに接続された搬送チャンバとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (8):
C25D 19/00 ,  C23C 18/16 ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/30 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205
FI (9):
C25D 19/00 C ,  C23C 18/16 C ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/30 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/306 L ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K
F-Term (62):
4K022AA01 ,  4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA03 ,  4K022DB15 ,  4K022DB19 ,  4K022EA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB14 ,  4K024CB26 ,  4K024DA02 ,  4K024DB01 ,  4K024DB10 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033XX05 ,  5F033XX08 ,  5F033XX20 ,  5F033XX34 ,  5F043AA26 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE36 ,  5F043GG02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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