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J-GLOBAL ID：200903079671555520

半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法

Inventor：
ヒュンサング ハワング

About ヒュンサング ハワング


Applicant, Patent owner：
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

About エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド


Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178350
Publication number (International publication number)：1995221093
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】適量の窒素を含有しかつ充分な厚さを有する半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法の提供。【構成】半導体ウエハを熱処理炉内に設置し、炉内温度を750〜1050°Cに維持し、NOガスとO2ガスとを、それらの供給比率を調節しながら一定時間供給して、SiとSiO2との界面に窒素原子を含有させる工程から成る。また、酸化工程終了後、酸化工程時の温度よりも高い温度でNOガスのみの雰囲気で熱処理して、SiとSiO2との上記界面に、より多くの窒素を含有させる工程から成る。また、炉内温度を約900°Cに維持し、20〜30分間酸化工程を実施して、厚さ約100Åのシリコン絶縁膜を形成する工程から成る。
Claim (excerpt)：
半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法において、シリコン絶縁膜を形成する半導体ウエハを熱処理炉内に設置して酸化準備工程を終了した後、炉内温度を750〜1050°Cに維持し、NOガスとO2ガスとを、それらの供給比率を調節しながら一定時間供給して、SiとSiO2との界面に窒素原子を含有させる工程を含んでなることを特徴とする半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 酸窒化膜層の絶縁膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-327921   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 特開平4-245636
  • 特開昭64-035954
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