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J-GLOBAL ID:200903079699438295

中空カーボンナノカプセルの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 朝日奈 宗太 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002318491
Publication number (International publication number):2003252614
Application date: Oct. 31, 2002
Publication date: Sep. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 純度の高い中空カーボンナノカプセルの製造方法を提供する。【解決手段】 (a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。
Claim (excerpt):
(a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。
F-Term (9):
4G146AA11 ,  4G146BA01 ,  4G146BC17 ,  4G146BC23 ,  4G146BC28 ,  4G146CA11 ,  4G146CA20 ,  4G146DA03 ,  4G146DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第6063243号明細書
  • 独国特許発明第19740389号明細書

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