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J-GLOBAL ID：200903079699438295

中空カーボンナノカプセルの製造方法

Inventor： 黄 ▲カン▼麟
Applicant, Patent owner： 財団法人工業技術研究院
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002318491
Publication number (International publication number)：2003252614
Application date： Oct. 31, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 純度の高い中空カーボンナノカプセルの製造方法を提供する。【解決手段】 (a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。

Claim (excerpt)：

(a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。

F-Term (9)：

4G146AA11 ,  4G146BA01 ,  4G146BC17 ,  4G146BC23 ,  4G146BC28 ,  4G146CA11 ,  4G146CA20 ,  4G146DA03 ,  4G146DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 米国特許第6063243号明細書
  
• 独国特許発明第19740389号明細書
  
• 水素吸臓材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-210421   Applicant：双葉電子工業株式会社
• ナノカーボンの製造方法及びその方法を用いて製造されたナノカーボン、ナノカーボンの製造装置、ナノカーボンのパターン化方法及びその方法を用いてパターン化されたナノカーボン基材及びそのパターン化されたナノカーボン基材を用いた電子放出源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-353793   Applicant：双葉電子工業株式会社, 滝川浩史