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J-GLOBAL ID：200903079746547995

微小構造体の洗浄方法及び洗浄装置、半導体装置とその製造方法、並びに微小構造体とその製造方法

Inventor： 嵯峨 幸一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004224193
Publication number (International publication number)：2005072568
Application date： Jul. 30, 2004
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】 超臨界流体を洗浄媒体として用いて、微小構造体に付着している微粒子を効率よく洗浄できる洗浄方法を提供する。【解決手段】 本方法は、超臨界流体を洗浄媒体として用いた微小構造体の洗浄方法において、洗浄チャンバ24の内壁と微小構造体の被除去微粒子の付着面との距離を3mm以下に保持して洗浄チャンバ内に微小構造体を収容し、洗浄チャンバに超臨界流体を導入しつつ超臨界流体中で微小構造体を1分間当たり400回転以上の回転数で回転させる。洗浄チャンバに導入する超臨界流体の流量を1L/min以上に維持して洗浄する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

超臨界流体を洗浄媒体として用いた、微小構造体の洗浄方法において、 微小構造体表面に付着している被除去微粒子近傍の超臨界流体のせん断応力が1N/m2以上になるように、被除去微粒子に対する超臨界流体の相対的速度を維持することを特徴とする洗浄方法。

IPC (1)：

H01L21/304

FI (3)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 超臨界乾燥装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-254835   Applicant：日本電信電話株式会社
• 表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-296776   Applicant：株式会社日立製作所