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J-GLOBAL ID：200903079754814080

単結晶引上装置

Inventor：
内山 輝彦

About 内山 輝彦

, 
伊達 和良

About 伊達 和良


Applicant, Patent owner：
コマツ電子金属株式会社

About コマツ電子金属株式会社


Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239668
Publication number (International publication number)：1998053486
Application date： Aug. 06, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 融液表面と整流筒下端の間隔の直接測定を可能とし、この間隔を所定値に制御修正することで半導体単結晶の品質、特に酸素誘起積層欠陥(OSF)等の結晶欠陥を安定化させる装置を提供する。【解決手段】 炉内観察用の覗き窓8に望遠鏡11を設置し、この視野内に布置表示されたレチクル目盛り10を介して整流筒7の下端部7Aと融液表面での該整流筒7の反射像7Bの上端部との目盛り間距離と、該レチクル目盛り10の水平基準線10Aと整流筒7の下端部7Aとの合致位置および該水平基準線10Aと融液表面での整流筒7の反射像7Bの上端部との合致位置の間の望遠鏡11の上下方向の移動距離との対応関係に基づき、該望遠鏡11のレチクル目盛り10による目盛り間距離の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒7との間隔が検出可能となるように構成する。
Claim (excerpt)：
単結晶を同心包囲する整流筒を坩堝上に配し、該坩堝中の融液から単結晶を引上げ成長させる単結晶引上装置において、炉内観察用の覗き窓に取り付けた望遠鏡の視野内に布置表示されたレチクルの目盛りを介して測定される整流筒下端部と融液表面での該整流筒反射像上端部との目盛り間距離と、前記レチクルの目盛りの水平基準線と整流筒下端との合致位置および該水平基準線と融液表面での整流筒反射像上端部との合致位置の間の望遠鏡の上下方向移動距離との対応関係に基づき、該望遠鏡のレチクルによる目盛り間距離の任意の測定値を読み取ることで、融液表面と整流筒下端の間隔を検出可能とすることを特徴とする単結晶引上装置。
IPC (3)：
C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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