半導体用タングステンターゲットの製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂本栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052871
Publication number (International publication number)：1996250426
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体製造において使用されるタングステンのスパッタリングターゲットの製造装置を提供する。【構成】原料ガス導管3とこれに続く、多孔板4を底面とする中空円錐状の原料ガス吹き出し口5とからなる原料ガス供給部6、排気ガス排出部7、基板設置台9上にステンレス鋼からなる基板10を備えてなる反応容器2よりなり、原料ガス供給部6は反応容器2の上部略中央に位置し、排気ガス排出部7は反応容器2の側面に設け、この排気ガス排出部7と対向する側面に基板設置台9の出し入れ用扉8を有し、反応容器2底部に基板設置台9の摺動部を有し、反応容器2底部付近に加熱手段11を有し、特に、原料吹き出し口5が水平方向に回転する機構、および基板設置台9に基板回転機構を有する。

Claim (excerpt)：

原料ガス導管3とこれに続く、多孔板4を底面とする中空円錐状の原料ガス吹き出し口5とからなる原料ガス供給部6、排気ガス排出部7、基板設置台9上にステンレス鋼からなる基板10を備えてなる反応容器2よりなり、原料ガス供給部6は反応容器2の上部略中央に位置し、排気ガス排出部7は反応容器2の側面に設け、この排気ガス排出部7と対向する側面に基板設置台9の出し入れ用扉8を有し、反応容器2底部に基板設置台9の摺動部を有し、反応容器2底部付近に加熱手段11を有することを特徴とする半導体用タングステンターゲットの製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/203 , C22C 27/04 101 , C23C 14/34 , H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/203 S , C22C 27/04 101 , C23C 14/34 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-005891 Applicant：株式会社東芝
特公昭43-025373
特開平1-100913

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