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J-GLOBAL ID：200903079863282013

単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器

Inventor： 王 華兵 ,  山下 努
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001036427
Publication number (International publication number)：2002246664
Application date： Feb. 14, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 テラヘルツ信号系と固有ジョセフソン接合装置とを確実に結合させることができる単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器を提供する。【解決手段】 単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器であって、基板1と、この基板1上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Bi2 Sr2 CaCu2 O8 単結晶固有ジョセフソン接合装置4と、このジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナ3を具備する。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Bi2 Sr2 CaCu2 O8 単結晶固有ジョセフソン接合装置と、該ジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナを具備することを特徴とする単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器。

IPC (5)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01Q 9/28 ZAA ,  H01Q 23/00 ZAA

FI (5)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA J ,  H01Q 9/28 ZAA ,  H01Q 23/00 ZAA

F-Term (11)：

4M113AA01 ,  4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AC25 ,  4M113AD36 ,  4M113BC04 ,  4M113CA35 ,  5J021AA01 ,  5J021AB03 ,  5J021FA00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-016491   Applicant：科学技術振興事業団
• 層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256478   Applicant：科学技術振興事業団
• 超伝導素子回路とその製造方法および超伝導デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-232882   Applicant：松下電器産業株式会社
• 超電導デバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-025675   Applicant：セイコーエプソン株式会社