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J-GLOBAL ID：200903097749070969

異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置

Inventor：
山下 努

About 山下 努

, 
金 相宰

About 金 相宰


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016491
Publication number (International publication number)：2000216447
Application date： Jan. 26, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 側面加工により単結晶及び薄膜の表面性に制限なく微細面積加工により、高温超伝導体特有の層状構造を利用した単電子トンネルデバイス及び固有ジョセフソンデバイスの製造が可能な高温超伝導体を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 集束イオンビームエッチングにより薄膜及び単結晶のエッチングを行なうために基板ホルダーを約360°(最小約90°)回転させ、基板上薄膜及び単結晶を側面からエッチングすることにより素子を作製する。薄膜及び単結晶を上面から、集束イオンビームにより接合長さのブリッジを形成した後、試料を約90°(270°)回転させて側面加工により、多層の電流経路層を形成する。また、その電流経路長を画面上の像の測定によって、その接合長を精密に制御できる工程とを施す。
Claim (excerpt)：
異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法において、(a)薄膜成長用の基板上にブリッジを有する異方性をもつ薄膜を形成する工程と、(b)前記基板を試料ホルダーに搭載し、該試料ホルダーの角度を360°まで回転させ、集束イオンビーム加工法により、前記ブリッジを側面より加工する工程とを施すことを特徴とする異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 39/24 ZAA ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 39/24 ZAA J ,  H01L 21/302 D
F-Term (19)：
4M113AA01 ,  4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BB07 ,  4M113BC04 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  5F004BB24 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EA39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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