絶縁ゲート型電界効果トランジスタとその製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994080684
Publication number (International publication number)：1995288323
Application date： Apr. 19, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】金属電極としてAlを含む金属層が用いられる場合のAlのp-n接合への突き抜けの問題、金属電極の被着部における抵抗増加の問題の解決をはかる。【構成】少なくともシリコン半導体によるソースおよびドレイン4Sおよび4Dに対して金属電極7Sおよび7Dがオーミックに被着される絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、少なくともその金属電極7Sおよび7Dがオーミックに被着されるソースおよびドレイン4Sおよび4Dに、Si1-x Gex 層21を介して金属電極7Sおよび7Dをオーミックに被着する構成とする。

Claim (excerpt)：

少なくともシリコン半導体によるソースおよびドレインに対して金属電極がオーミックに被着される絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記金属電極がオーミックに被着される上記ソースおよびドレインに、Si1-x Gex 層を介して金属電極をオーミックに被着することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-345630 Applicant：株式会社東芝
特開平4-137528
特開平4-196420

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