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J-GLOBAL ID：200903079875857984

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
佐竹 秀喜

About 佐竹 秀喜

, 
山口 豪

About 山口 豪


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000400568
Publication number (International publication number)：2002203958
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 金属原子を含んだ絶縁破壊耐性の高いゲート絶縁膜構造を持つ半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1に、チャネル領域4を挟んで対向するドレイン、ソース拡散層3が形成され、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6が形成される。ゲート絶縁膜5は、チャネル領域4の直上の部分が誘電率の高い金属酸化物からなる第1のゲート絶縁膜5aにより形成され、それ以外の部分は金属原子濃度が低い第2のゲート絶縁膜5bにより形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この半導体基板にチャネル領域を挟んで対向するように形成されたソース及びドレイン拡散層と、前記半導体基板上に、チャネル長方向に所定の濃度変化を示す金属原子を含んで形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
F-Term (14)：
5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040DC10 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040ED06 ,  5F040ED07 ,  5F040ED09 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA01 ,  5F040FB05 ,  5F040FC00 ,  5F040FC10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭58-084462
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000190   Applicant：富士通株式会社
  • 特公昭49-011035
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Cited by examiner (8)
  • 特開昭58-084462
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000190   Applicant：富士通株式会社
  • 特公昭49-011035
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