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J-GLOBAL ID：200903079876303257

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
土井 浩志

About 土井 浩志


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995136001
Publication number (International publication number)：1996306633
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 誘電体容器を充分加熱できる簡易な構成を提供したり、処理終了後における誘電体容器への薄膜堆積を防止できる構成を提供したりして、プラズマ処理の品質の向上に寄与する。【構成】 誘電体容器3内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板20の表面に所定の処理を施す。内部に蒸発物が存在する誘電体容器3の外面に温風を当てて少なくとも摂氏150度以上に加熱する温風加熱機構7を備え、誘電体容器3の内面は有機物の薄膜が堆積しない温度とされる。温風加熱機構7は、誘電体容器3内に所定の電力を導入するアンテナ41の動作を阻害しないよう設けられる。プラズマ処理が終了した後、次のプラズマ処理が行われるまでの間にも、この加熱が行われる。
Claim (excerpt)：
誘電体容器内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板の表面に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、誘電体容器内に有機物の蒸発物が存在するプラズマ処理装置において、誘電体容器の外面に温風を当てて誘電体容器の内面に前記有機物の薄膜が堆積しない温度に誘電体を加熱する温風加熱機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-176981   Applicant：住友金属工業株式会社
  • エッチング終点判定装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-249584   Applicant：株式会社日立製作所

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