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J-GLOBAL ID：200903079899190417

半導体圧力センサ

Inventor： 佐藤 真也 ,  鈴木 清光 ,  山口 真市 ,  笹田 義幸 ,  三木 政之 ,  久保田 正則 ,  宮崎 敦史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997227751
Publication number (International publication number)：1999064137
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Mar. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】耐圧性に優れ、低圧域から高圧域まで高精度に測定できる圧力センサを供給すること。【解決手段】シリコン板上に外枠部と、ダイアフラム部,歪みゲージ部,電極部等からなる圧力検出部を、高圧用と低圧用の複数個形成する。歪みゲージ部が形成されたシリコン板側と、電極取り出し部をもつ絶縁基板を、歪みゲージ部が密閉され、且つシリコン板の電極部と絶縁基板の電極取り出し部が電気的に接続するように接合し、感圧素子を形成する。感圧素子,低融点ガラス,ステムを、リードピンが絶縁基板の電極取り出し部を介してシリコン板の電極部に半田で電気的に接合するように積層し、低融点ガラスを溶融することによって感圧素子とステムを接合する。

Claim (excerpt)：

ダイアフラム部,歪みゲージ部,電極部を形成したシリコン板と、スルーホールを有する絶縁基板と、を前記歪みゲージ部を密封するように気密に接合してなる感圧素子と、リードピンを気密封止によって貫通形成したステムとを備え、前記リードピンが前記絶縁基板のスルーホール内に設けた導電材料によって前記シリコン基板の電極部と電気的に接続され、前記絶縁基板と前記ステムを気密に接合したことを特徴とする半導体式圧力センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-307769
  
• 半導体圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161870   Applicant：横河電機株式会社
• 半導体型燃焼圧センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338508   Applicant：株式会社日立製作所