Pat
J-GLOBAL ID：200903079932277604

単結晶成長方法、その方法により得られるIII族窒化物単結晶およびSiC単結晶

Inventor：
藤原 伸介

About 藤原 伸介

, 
宮永 倫正

About 宮永 倫正

, 
水原 奈保

About 水原 奈保


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005062789
Publication number (International publication number)：2006240968
Application date： Mar. 07, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 気相法によりSiC種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるIII族窒化物単結晶およびSiC単結晶を提供する。【解決手段】 気相法により単結晶3を成長させる方法であって、結晶成長室11の内部にSiC種結晶1および原料2を配置し、結晶成長室11の内部に酸素ガスを導入しながら、かつ、結晶成長室11の内部のガスの少なくとも一部を結晶成長室11から排出しながら、SiC種結晶1上に単結晶3を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
気相法により単結晶を成長させる方法であって、 結晶成長室の内部にSiC種結晶および原料を配置し、 前記結晶成長室の内部に酸素ガスを導入しながら、かつ、前記結晶成長室内部のガスの少なくとも一部を前記結晶成長室から排出しながら、前記SiC種結晶上に前記単結晶を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (3)：
C30B 23/06 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/38
FI (4)：
C30B23/06 ,  C30B29/36 A ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 D
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077EA01 ,  4G077EA07 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM