金属酸化物半導体薄膜の製造方法および金属酸化物半導体薄膜

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031568
Publication number (International publication number)：2005223231
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】ゾルーゲル法を用いて製造した金属酸化物半導体薄膜の電気伝導率を向上させることができ、半導体デバイスとして作製した場合でも、その性能を十分に発揮させることができるようにする。【解決手段】この発明の金属酸化物半導体薄膜の製造方法は、有機金属と有機溶媒とから成る溶液を基板に付着させ加熱分解し基板上に薄膜を焼成成膜させ、その後不活性ガス中で熱処理を行うことにより金属酸化物半導体薄膜を製造する、ことを特徴としている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体薄膜の製造方法において、有機金属と有機溶媒とから成る溶液を基板に付着させ加熱分解し基板上に薄膜を焼成成膜させ、その後不活性ガス中で熱処理を行うことにより金属酸化物半導体薄膜を製造する、ことを特徴とする金属酸化物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/368 , H01L31/04

FI (2)：

H01L21/368 Z , H01L31/04 E

F-Term (21)：

5F051AA09 , 5F051AA16 , 5F051AA20 , 5F051BA11 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CB13 , 5F051CB18 , 5F051CB24 , 5F051GA02 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F053AA03 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053HH01 , 5F053KK10 , 5F053LL05 , 5F053PP03 , 5F053RR12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

金属酸化物半導体薄膜及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-378118 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (1)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080504 Applicant：工業技術院長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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