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J-GLOBAL ID：200903080022059989

光電変換素子および光電池ならびに金属錯体色素

Inventor：
滝沢 裕雄

About 滝沢 裕雄


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000183816
Publication number (International publication number)：2001291534
Application date： Jun. 19, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高いモル吸光係数を示し、長波長域においても優れた光吸収能を有する金属錯体色素、かかる金属錯体色素により増感された半導体微粒子を用いた光電変換素子、およびそれからなる光電池を提供する。【課題手段】 一般式:M(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI(ただし、Mは金属原子を表し、LL1は金属原子に窒素原子で2座または3座配位できる特定の配位子を表し、LL2は窒素原子で2座または3座配位できる他の配位子を表し、Xはイソチオシアネート基等で配位する1座または2座の配位子を表し、m1は1〜3の整数を表し、m1が2以上のときLL1は同じでも異なっていてもよく、m2は0〜2の整数を表し、m2が2のときLL2は同じでも異なっていてもよく、m3は0〜2の整数を表し、m3が2のときXは同じでも異なっていてもよくまたX同士が連結していてもよく、CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。)により表される金属錯体色素により増感された半導体微粒子を含む光電変換素子。
Claim (excerpt)：
下記一般式(I):M(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI ・・・(I)(ただし、Mは金属原子を表し、LL1は下記一般式(II):【化1】(ただし、R1およびR2はそれぞれ独立にカルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基、ホスホリル基またはホスホニル基を表し、R3およびR4はそれぞれ独立に置換基を表し、R5およびR6はそれぞれ独立にアリール基またはヘテロ環基を表し、L1およびL2はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のエテニレン基および/またはエチニレン基からなる共役鎖を表し、a1およびa2はそれぞれ独立に0〜3の整数を表し、a1が2以上のときR1は同じでも異なっていてもよく、a2が2以上のときR2は同じでも異なっていてもよく、b1およびb2はそれぞれ独立に0〜3の整数を表し、b1が2以上のときR3は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成してもよく、b2が2以上のときR4は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成してもよく、b1およびb2が共に1以上のときR3とR4が連結して環を形成してもよく、nは0または1を表す。)により表される2座または3座の配位子であり、LL2は下記一般式(III):【化2】(ただし、Za、ZbおよびZcはそれぞれ独立に5または6員環を形成しうる非金属原子群を表し、cは0または1を表す。)により表される2座または3座の配位子であり、Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座または2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミドまたはチオ尿素からなる1座または2座の配位子を表し、m1は1〜3の整数を表し、m1が2以上のときLL1は同じでも異なっていてもよく、m2は0〜2の整数を表し、m2が2のときLL2は同じでも異なっていてもよく、m3は0〜2の整数を表し、m3が2のときXは同じでも異なっていてもよく、またX同士が連結していてもよく、CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。)により表される金属錯体色素により増感された半導体微粒子を含むことを特徴とする光電変換素子。
IPC (9)：
H01M 14/00 ,  C09B 23/00 ,  C09B 57/10 ,  H01L 31/04 ,  C07D213/38 ,  C07D213/79 ,  C07D401/04 ,  C07D401/14 ,  C07D455/02
FI (9)：
H01M 14/00 P ,  C09B 23/00 F ,  C09B 57/10 ,  C07D213/38 ,  C07D213/79 ,  C07D401/04 ,  C07D401/14 ,  C07D455/02 ,  H01L 31/04 Z
F-Term (31)：
4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA25 ,  4C055CA01 ,  4C055CA08 ,  4C055CA27 ,  4C055CB01 ,  4C055CB02 ,  4C055DA57 ,  4C055EA01 ,  4C063CC14 ,  4C063DD12 ,  4C063EE10 ,  4C064AA12 ,  4C064CC01 ,  4C064DD01 ,  4C064FF01 ,  4C064GG03 ,  4H056CA02 ,  4H056CA05 ,  4H056CB06 ,  4H056CC02 ,  4H056CE02 ,  4H056CE07 ,  4H056FA05 ,  5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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