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J-GLOBAL ID:200903080191407074

薄膜EL素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999369868
Publication number (International publication number):2001203081
Application date: Dec. 27, 1999
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 一般に用いられているトリフェニルジアミンなどの左右対称な構造を有する正孔輸送材料を用いた正孔輸送層と電子輸送性発光層とを積層した構成の素子では、高効率、低駆動電圧、長寿命な素子を実現するのが困難であった。【解決手段】 透明基板上に、少なくとも透明正孔注入電極と、前記透明正孔注入電極上に塗布により形成された透明導電層と、超薄膜電子ブロック層と、発光層と陰極とを有する素子構成により優れた素子性能を得る。特に特定の超薄膜電子ブロック層を用いることで卓越した素子性能を得ることができる。
Claim (excerpt):
透明基板上に、少なくとも透明正孔注入電極と、前記透明正孔注入電極上に塗布により形成された透明導電層と、超薄膜電子ブロック層と、発光層と陰極とを有する薄膜EL素子。
IPC (4):
H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (6):
H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
F-Term (19):
3K007AB00 ,  3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007EC02 ,  3K007EC03 ,  3K007EC04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  3K007GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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