半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997007049
Publication number (International publication number)：1998051027
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】低コスト且つ高歩留まりで製造できる、光の導出効率を向上させた、高輝度且つ高信頼性の半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子が、半導体基板1と、半導体基板1上に少なくともクラッド層2、活性層3、クラッド層4を含む発光領域部と、電流経路調整層5とを備えている。半導体基板1は、その表面に、面方位の異なる少なくとも第1の領域A1と第2の領域A2およびA3とを有し、電流経路調整層は、第1の領域A1上ではn型、該第2の領域A2およびA3上ではp型の導電型である。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に、少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層を含む発光領域部と電流経路調整層とを備えた半導体発光素子であって、該半導体基板は、その表面に、面方位の異なる少なくとも第1の領域と第2の領域とを有しており、該電流経路調整層は、該第1の領域上ではn型、該第2の領域上ではp型の導電型である、半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/365

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01L 21/365

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-330786
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049560 Applicant：富士通株式会社
ストライプレーザダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-250280 Applicant：富士通株式会社

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