半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井内龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995205898
Publication number (International publication number)：1996111405
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【課題】 SiN膜14/ポリシリコン膜13/SiO2 膜12の3層構造において、SiN/ポリシリコンの選択比を高くとることができるガス種を用いてSiN膜14のエッチングを行う工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 SiN膜14をエッチングする際、CF4 、02 系の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスでSiN膜14の膜厚相当までエッチングした後、CF4 、CHF3 系の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスでオ-バ-エッチングを行ってSiNマスク14aを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にSiO2 膜、ポリシリコン膜、およびSiN膜を順次成膜し、該SiN膜上にレジストパターンを形成した後、前記SiN膜をエッチングする際に、CF4 、CHF3 の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスを用いる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/76 M , H01L 21/94 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドライエッチング終点検出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020250 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-267336
特開昭60-115231

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