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J-GLOBAL ID：200903080204350689

基盤洗浄装置

Inventor：
山崎 和俊

About 山崎 和俊


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000241312
Publication number (International publication number)：2002057136
Application date： Aug. 09, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 水とオゾンガスとが直接的に接触せずにオゾン水を生成させ、しかも効率的に、高濃度のオゾン水を生成させることにより、オゾン発生器からの金属紛等が原料水に混入されない、クリーンで高濃度なオゾン水を用いて半導体基盤を洗浄することが可能な、半導体基盤洗浄装置を提供することである。【解決手段】 原料水とオゾンガスとを、気体のみを通し、液体の透過を阻止する非多孔性オゾンガス透過高分子膜で隔離せしめ、該オゾンガス透過膜を通して上記原料水に、上記オゾンガスを溶け込ますようにして、オゾン水を生成するシステムからなる半導体基盤洗浄装置であって、上記オゾンは、オゾン発生装置で生成させ加圧された状態で上記オゾンガス透過膜に供給させるようにすることを特徴とする半導体基盤洗浄装置。
Claim (excerpt)：
原料水とオゾンガスとを、気体のみを通し、液体の透過を阻止する非多孔性オゾンガス透過高分子膜で隔離せしめ、該オゾンガス透過膜を通して上記原料水に、上記オゾンガスを溶け込ますようにして、オゾン水を生成するシステムからなる基盤洗浄装置であって、上記オゾンは、オゾン発生装置で生成させ、加圧された状態で上記オゾンガス透過膜に供給させるようにすることを特徴とする基盤洗浄装置。
IPC (2)：
H01L 21/304 648 ,  B08B 3/08
FI (2)：
H01L 21/304 648 K ,  B08B 3/08 Z
F-Term (8)：
3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB03 ,  3B201BB89 ,  3B201BB92 ,  3B201BB98 ,  3B201CC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 純水又は超純水の精製方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-140593   Applicant：株式会社荏原総合研究所, 株式会社荏原製作所, 荏原インフィルコ株式会社
  • オゾン水供給装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-209402   Applicant：栗田工業株式会社
  • オゾン水製造方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188539   Applicant：オルガノ株式会社
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